西門子SHEMENS-1BH11-0AA0性能參數(shù)

產(chǎn)品型號： 6ES7422-

所屬分類：SIEMENS西門子

產(chǎn)品時(shí)間：2023-10-29

簡要描述：西門子SHEMENS-1BH11-0AA插人三種插卡中的一種（如圖1-3示）。外插卡須單獨(dú)訂貨。
MC291,存儲器卡，提供EEPROM存儲單元。在CPU上插人存儲器 卡后，可使用編程軟件Step7-Micra/WIN32將CPU屮的存儲內(nèi)容（系 統(tǒng)坱、程序塊和數(shù)據(jù)塊等制到卡中；把存儲卡插到其他CPU上，西門子6ES7422-1BH11-0AA0性能參數(shù)通電時(shí)存儲卡的內(nèi)容會自動復(fù)制到CPU中。存儲

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CC292：日期/時(shí)鐘電池卡，用于CPU 221和CPU 222兩種不具備內(nèi) 部實(shí)時(shí)時(shí)鐘的CPU,以提供H期/時(shí)鐘功能，同時(shí)提供內(nèi)存后備電池。西門子6ES7422-1BH11-0AA0性能參數(shù)

• BC293：電池卡D為有類型的CPU提供數(shù)據(jù)保持的后備電池。電池 在級電容放電完畢后起作用。

S7-200 CPU擴(kuò)展模塊 

S7 - 200 CPU為了擴(kuò)展I/O點(diǎn)和執(zhí)行特殊的功能，可以連接擴(kuò)展模塊 (CPU 221除外擴(kuò)展模塊主要有如下幾類：

數(shù)字量I/O模塊；

模擬量I/O模塊；

通訊模塊；

特殊功能模塊。西門子6ES7422-1BH11-0AA0性能參數(shù)

一、數(shù)字量I/O擴(kuò)展模塊

EM221：數(shù)字量輸人擴(kuò)展模塊。包括3種類型：

8點(diǎn)24 V DC輸人*

8點(diǎn)AC丨20/230 V輸人；

9 16 點(diǎn) 24 V 1〕C:輸人。

EM222:數(shù)字錯輸出擴(kuò)展欖塊，包括5神類型：

8點(diǎn)24 V DC(晶體管）輸出；

8點(diǎn)繼電器輸出；

8 點(diǎn) AC 1.20/230 V 輸出 *

4點(diǎn)24 V DC.輸出，每點(diǎn)5 A;

4點(diǎn)繼電器輸出/每點(diǎn)10 A。

EM 223:數(shù)字M輸人/輸出擴(kuò)展模塊，共有6種類型：

4點(diǎn)24 V IX:輸人/4 V DC輸出；

4點(diǎn)24 V DC輸人/4 V繼電器輸出；

8點(diǎn)24 V DC輸人/8 V DC輸出>

8點(diǎn)24 V DC輸人/8 V繼電器輸出；

16點(diǎn)24 V DC輸人/16 VDC輸出；

16點(diǎn)24 V DC輸人A6V繼電器輸出,

各種模塊具有各自的訂貨號.

數(shù)字:.M:擴(kuò)展模塊通用規(guī)范如表1 - 3列u 西門子6ES7422-1BH11-0AA0性能參數(shù)

二、模擬量I/O擴(kuò)展模塊

EM 231:模擬ft輸人模塊，4通道電流/電壓輸人；

EM 232:模擬1輸出模塊,2通道電流/_電輸出；

EM 235:模擬迸輸人/_輸出模塊d通道電流/電].i:輸人、1通道電流/電JK 輸出。

三、溫度擴(kuò)展模塊

溫度擴(kuò)展模塊是模擬量模塊的特殊形式。它們是: KM 231 TC:熱電偶輸人模塊，4輸人通道；

EM 231 RTD:熱電阻輸入模塊，2輸人通道，

四、特殊功能模塊

S7 - 200還提供了一些特殊模塊，用以完成特定的任務(wù)。例如：

253:定位控制模塊。它能產(chǎn)生脈沖串，用于步進(jìn)電機(jī)和伺服電機(jī)的速度和位置的開環(huán)控制。西門子6ES7422-1BH11-0AA0性能參

S7-200 PP西門子6ES7422-1BH11-0AA0性能參數(shù)I網(wǎng)絡(luò)通訊

    PPI（點(diǎn)對點(diǎn)接口）是西門子為S7- 200系統(tǒng)開發(fā)的通汛協(xié)議。 PPI是一種書-從協(xié)議：主站設(shè)備發(fā)送要求到從站設(shè)備，從站設(shè)備響應(yīng)，從站不主動發(fā)信息，只是等待主站的要求和對要求作出響應(yīng)。PPI網(wǎng)絡(luò)中可以存多個(gè)主站。PPI并不限制與任意一個(gè)從站通訊.的主站數(shù)審，但是在1個(gè)網(wǎng)段中，通訊站的數(shù)量不能過32個(gè)。帶中繼器的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)如圖1 -6示

圖I帶中繼器的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)

     S7 -200 CPU上集成的通訊口支持PPI通訊，不iS離的CPU通訊口支 持的標(biāo)準(zhǔn)通訊距離為50 m,如果使用對RS 4SS中繼器，町以達(dá)到 RS-4S5的標(biāo)準(zhǔn)通訊距離1 200 m。PP] ￡持的通tU速率為9. 6 K波特、 19,2 K波特和187.5 K波特。

     運(yùn)行編程軟件Step7 - JVticr〇/WINf32的計(jì)算機(jī)可以認(rèn)為是一個(gè) PPI主站。要荻得1S7. 5 K波特的JPP1通訊速率，必須有CP卡、Smart： RS，232/PPI電纜或Smart USB/TPI電纜作為編程 接口，其他設(shè)備，如TD200文本M示器/m70 micra等操作面板（HM])，也可 以通過PPI協(xié)議和S7 - 200 CPU連接。圖1 - 7示為掛在Profikls^DP網(wǎng)絡(luò)上的S7 - 200_.。

S7-200 數(shù)據(jù)保持方式及注意事項(xiàng)

S7 200提供幾種保持?jǐn)?shù)據(jù)的方法_，用戶根據(jù)芯要靈活選用：

CPU中內(nèi)置級電容，在不太長的斷電期間內(nèi)為保持?jǐn)?shù)據(jù)和時(shí)鐘提供 電源，不需要附件；

CPU上附加電池卡，與內(nèi)置趙級電容配合，長期為時(shí)鐘和數(shù)據(jù)保持提供電源；

使用數(shù)據(jù)模塊，*保存不需要更改的數(shù)據(jù)；

編程時(shí)設(shè)置系統(tǒng)塊，可在CPU斷電時(shí)自動*保存至多14個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)；

在用戶程序中編程，根據(jù)需要*保存數(shù)據(jù)。 

西門子6ES7422-1BH11-0AA0性能參數(shù)    一、S7 -200的數(shù)據(jù)存儲區(qū)

   S7-200 CPU中的數(shù)據(jù)#儲岡分為兩類：易失性的RAM存儲區(qū)，以及*保存的EEPROM(■存儲區(qū)。RAM存儲區(qū)需要為其提供電源方能保持其中的數(shù)據(jù)不丟失。

   S7 - 200中的V數(shù)據(jù)存儲區(qū)、M存儲區(qū)都屬于易失性數(shù)據(jù)存儲區(qū)。要保 存T(定時(shí)器）和C(計(jì)數(shù)器）數(shù)據(jù)，也需要提供電源。

S7 -200 CPU提供 EEPROM存儲器。EEPROM不需要另外的供電就能水久保存數(shù)據(jù)。EKPROM對應(yīng)于RAM中的V存儲區(qū)和M存儲區(qū)的--部 分，要把數(shù)據(jù)存人EEPROM,需要做一呰設(shè)置•或者編程_.

在S7 200項(xiàng)目的系統(tǒng)坱中，有設(shè)置RAM數(shù)據(jù)保持區(qū)的選項(xiàng)。西門子6ES7422-1BH11-0AA0性能參數(shù){ 如果選中某個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)，則〔TMJ會在斷電時(shí)通過內(nèi)置級電容和 電池卡或者選擇了不保持某+數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)據(jù).則下次CTLI J 上電時(shí)，會把EKPROM中相應(yīng)的區(qū)域的內(nèi)容復(fù)制到RAM中。

   二、內(nèi)置電容保持?jǐn)?shù)據(jù)

   CPU內(nèi)置級電容，在短期斷電期間為數(shù)據(jù)保持和實(shí)時(shí)時(shí)鐘（如果有）提供電源。

斷電后，CPU 221和CPU 222的級電容可提供約50 h的數(shù)據(jù)保持， CPU 224 ：TU 226、CPU 226XM 可保持?jǐn)?shù)據(jù)約90 h_t,級電容在CPU上電時(shí)充電₄為保證獲得上述指標(biāo)的數(shù)據(jù)保 持時(shí)間

*靠電池為（TU提供數(shù)據(jù)備份電源時(shí)，電池壽命約200天，西門子6ES7422-1BH11-0AA0性能參數(shù)

   三、使用數(shù)據(jù)塊

   用戶編程時(shí)可以編輯數(shù)據(jù)塊_，數(shù)據(jù)塊用于給S7-2()0 CPU的V存儲區(qū)賦予初始值。由于數(shù)據(jù)塊在S7 - 200項(xiàng)目下載到CPU中時(shí)，直接存儲到EEPROM 中，以數(shù)據(jù)塊的內(nèi)容永遠(yuǎn)不會丟失。

數(shù)據(jù)塊可以用于保存程序中用到的不改變的一些參數(shù)。

  四、斷電自動保存

  S7 - 200 CPU的M存儲區(qū)有14字貨（MI3??MB13 >，以在C'PU斷電時(shí)自動將其中的內(nèi)容：EEPROM的相應(yīng)區(qū)域中，則數(shù)據(jù)可以水久保存。

默認(rèn)情況下存儲區(qū)的這14個(gè)字節(jié)未設(shè)®為迮斷電時(shí)自動保存，要在S7-200項(xiàng)目的系統(tǒng)塊中進(jìn)行設(shè)置。

  五、編程保存數(shù)據(jù)

  在程序中利用SMB31和SMW32特殊存儲器，可以把V存儲區(qū)中的任意地址的數(shù)據(jù)寫*保次操 作可以寫人1個(gè)字節(jié)、宇西門子6ES7422-1BH11-0AA0性能參數(shù)或者雙字長度的數(shù)據(jù)。多次執(zhí)行操作，可以寫人多個(gè)數(shù)據(jù)。

由于EEPROVI的寫操作次數(shù)有限（*少10萬次，典型100萬 次），在程序中必須注意寫入操作的頻度對于類似由操作人員不定期更改的工藝參數(shù)等數(shù)據(jù)，可以在用戶 程序中判斷其狀態(tài)，在變化之后執(zhí)行寫入EEPROM的操作。

S7-200PLC*I/O配置

I/O地址分配規(guī)則

S7 200按照I/O的類型為其分配不同的地址，共有4類：

DI：數(shù)字量輸入

DO：數(shù)字量輸出

AI：模擬量輸入

AO：模擬量輸出 西門子6ES7422-1BH11-0AA0性能參數(shù)

數(shù)字輸人； 參I/O數(shù)宇貴輸出; ?A1:模擬埴輸人f ?A():模擬討輸出。

每一類I/O分別排列地址。從CPU開始算起,I/O點(diǎn)從左到右按由小到大的規(guī)律排列D擴(kuò)展模塊的類型和位置一旦確定，則它的I/O點(diǎn)地址也隨之決定。

*I/O

S7 -20CPU雖然具有相同的I/O映象區(qū)，伹不同CPU的*I/O 際上取決于它們能帶的擴(kuò)展模塊數(shù)。

CPU 221：0個(gè)擴(kuò)展模塊；

CPU 222：2個(gè)擴(kuò)展模塊

CPU 224：7個(gè)擴(kuò)展模塊

CPU 226/CPU 226 XM:7 個(gè)擴(kuò)展模塊。

*I/O數(shù)目不但取決于CPU能擴(kuò)展的模塊數(shù)量，還取決于CPU內(nèi)部電源能提供的5V DC電源容量。 西門子6ES7422-1BH11-0AA0性能參數(shù)